新傲的主要股東上海微系統與信息技術研究所80年代初在國內率先開展SOI技術研究,至今已有20年的歷史。新傲在SOI材料研究方面居國內領先位置,并保持國際先進水平。

1)   2002年,新傲公司建立了國內第一條SIMOX SOI生產線,并開發相關的成套工藝,研制出系列的全劑量、中等劑量和低劑量SIMOX產品。      

2)   2005年,新傲開發出鍵合SOI材料生產技術;同年,在結合SIMOX和鍵合技術的基礎上,新傲開發出具有自主知識產權的Simbond?技術(ZL 200510028365.6)。

3)   2008年,新傲開發出另一項同樣具有自主知識產權的BEST-SOI技術(ZL 200810201039.4)。

4)   2010年,新傲北區建成投產,批量生產8英寸SOI/EPI產品。

5)   2014年,瞄準RF、汽車電子市場的蓬勃發展,新傲與法國Soitec公司開展技術合作,引進注氫剝離技術,并于2015年實現SOI產品的量產。

6)   新傲自成立以來,先后承擔了包括國家863計劃微電子配套材料重大專項、信息產業部電子發展基金重大項目、國家特種設備引進項目、上海市科教興市重大產業科技攻關項目等40余項重大政府研發課題和產業化項目。2008年起,作為第一批啟動項目,公司開始承擔國家科技重大項目中《極大規模集成電路制造裝備及成套工藝》專項(02專項)的相關課題,包括:200mm SOI晶圓片研發與產業化;SOI材料及高壓器件的研發與模型建立;200mm 外延片產品開發與產業化;硅基GaN材料及核心器件的研發。

7)   截止到2015年,新傲公司共申請受理專利120項,其中60項已授權,PCT 3項。 

8)   瞄準SOI器件及下一代微納電子材料的應用,同中科院上海微系統所緊密合作,積極推進包括:高遷移率襯底材料、高k柵極介質材料、特種 SOI材料、SOI高壓器件以及硅基光互聯等方面的研究工作。

新傲公司SOI主要專注下述領域:

      SIMOX

      Bonding

      Simbond

      H Implantation Layer Transfer

      Best SOI

      Direct Si-Si Bonding

與此同時,新傲公司也致力于外延技術的發展:

  • 在紅外加熱筒式外延設備上開發重摻As襯底上的外延工藝,抑制As的自摻雜效應,生長高阻、過渡區窄的外延層
  • 在紅外加熱筒式外延設備上實現厚度和電阻率均勻性好的1um左右的BiCMOS用外延片
  • 雙埋層、As埋層電路襯底上高阻外延工藝開發 
  • 全梯度和半梯度外延工藝開發并應用到全系列FRD產品

 

新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和Smart-Cut四種方法,利用從美國和日本知名設備制造 商進口的先進設備來制備SOI材料, 以確保新傲圓片能夠達到國際半導體標準, 并能夠滿足當今世界主流IC生產線的要求。 依靠美國MT公司強大而持續的技術支持,整合國產化襯底片良好的性價比以及以及新傲自身強大而靈活的加工能力優勢,新傲向客戶提供專業化得外延服務。
地址:中國上海市嘉定區新徠路200號    電話:+86-21-6952 2599    傳真:+86-21-6952 2221   郵編:201815    網址:www.onthedf.com   滬ICP備05048132號-1
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