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新傲主要采用硅氣相外延,利用硅的氣態化合物,主要為SiHCL3, SiH2CL2. 這兩種硅化合物在加熱的硅襯底表面與氫反應或自身發生分解,還原成硅,并以單晶的形式沉淀在硅襯底表面。
外延工藝是一種薄層生長技術。能批量生產參雜均勻,厚度一致,晶格結構完整的外延片。利用同質外延技術制備N/N+ 或P/P+ 結構外延片可解決晶體管制作中頻率特性和擊穿功率特性間的矛盾。利用N/P型結構的外延片可以實現雙極型集成電路的元器件之間的隔離,可靠性,成品率大大提高,成本大大降低。


工藝流程

 Quality of Reactors

 不同襯底材料下的外延


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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和Smart-Cut四種方法,利用從美國和日本知名設備制造 商進口的先進設備來制備SOI材料, 以確保新傲圓片能夠達到國際半導體標準, 并能夠滿足當今世界主流IC生產線的要求。 依靠美國MT公司強大而持續的技術支持,整合國產化襯底片良好的性價比以及以及新傲自身強大而靈活的加工能力優勢,新傲向客戶提供專業化得外延服務。
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