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做為SOI材料世界級供應商,新傲采用四種技術為客戶提供全方位SOI解決方案。


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1. SIMOX

      SIMOX是注氧隔離技術的簡稱。新傲科技采用此技術在普通圓片的層間注入氧離子以形成隔離層。此方法有兩個關鍵步驟:離子注入和退火。
      在注入過程中,氧離子被注入圓片里,與硅發生反應形成二氧化硅沉淀物。然而注入對圓片造成相當大的損壞,而二氧化硅沉淀物的均勻性也不很好。隨后進行的高溫退火能幫助修復圓片損壞層并使二氧化硅沉淀物的均勻性保持一致。這時圓片的質量得以恢復而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。




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2. Bonding

      通過在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之間使用鍵合技術,兩個圓片能夠緊密鍵合在一起,并且在中間形成二氧化硅層充當絕緣層。鍵合圓片在此圓片的一側削薄到所要求的厚度后得以制成。
      這個過程分三部來完成。第一部是在室溫的環境下使一熱氧化圓片在另一非氧化圓片上鍵合;第二部是經過退火增強兩個圓片的鍵合力度;第三部通過研磨、拋光及腐蝕來減薄其中一個圓片到所要求的厚度。




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3. Simbond

      在傳統的鍵合和離子注入技術的基礎上,新傲及其合作伙伴發展了制備SOI材料的又一種方法:Simbond。 即在硅材料上注入離子,產生了一個分布均勻的離子注入層。此層用來充當化學腐蝕阻擋層,可對圓片在最終拋光前器件層的厚度及其均勻性有很好的控制。采用新傲所首創的Simbond技術制備的SOI硅片具有優越的SOI薄膜均勻性,同時也能得到厚的絕緣埋層。




4.Smart-cut ?技術

      Smart Cut ? 技術是世界領先的SOI制備技術。 
第一步熱氧化;
第二步是在圓片中注入氫。
第三步清洗& Bonding。
第四步 切割。
第五步: 退火&研磨,拋光及腐蝕減薄兩片圓片達到所要求的厚度。

 

 


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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和Smart-Cut四種方法,利用從美國和日本知名設備制造 商進口的先進設備來制備SOI材料, 以確保新傲圓片能夠達到國際半導體標準, 并能夠滿足當今世界主流IC生產線的要求。 依靠美國MT公司強大而持續的技術支持,整合國產化襯底片良好的性價比以及以及新傲自身強大而靈活的加工能力優勢,新傲向客戶提供專業化得外延服務。
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